-
Новини от индустрията: Infineon поставя нов стандарт за мощност за AI ускорители и вертикално захранване с 2 A/mm² двуфазни интелигентни захранващи етапи
Infineon Technologies AG (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) представя TDA235E5 и TDA235E0, семейство двуфазни интелигентни захранващи каскади, проектирани да отговорят на бързо нарастващите изисквания за плътност на мощността на ускорителите с изкуствен интелект от следващо поколение и вертикалните модули за захранване. Интегрирани...Прочетете още -
Новини от индустрията: Sumitomo Chemical започва масово производство на 4-инчови InP епивафери
Японската компания Sumitomo Chemical Co Ltd е установила масово производство на 4-инчови епитаксиални пластини от индиев фосфид (InP) в своите заводи Ibaraki Works в Хитачи, префектура Ибараки, и е започнала да продава новите продукти. Фирмата казва, че...Прочетете още -
Новини от индустрията: Nexperia проучва сътрудничеството си с Aurobay в областта на силови полупроводници за електрифицирани силови агрегати
Разработчикът и производител на дискретни устройства Nexperia BV от Наймеген, Нидерландия (който управлява фабрики за производство на полупроводникови пластини в Хамбург, Германия, и Хейзъл Гроув, Манчестър, Великобритания) заявява, че ще проучи стратегическо сътрудничество в областта на усъвършенстваните захранващи системи...Прочетете още -
Новини от индустрията: Разширяване на тестовия център на NXP в Малайзия до удвояване на капацитета му до 2028 г.
На 12 август 2026 г. (местно време), NXP Semiconductors, водеща световна компания за автомобилни и индустриални полупроводници, проведе церемония по първа копка на новия си завод за опаковане и тестване в Петалинг Джая, Малайзия. Като основно разширение на съществуващото си съоръжение за тестване...Прочетете още -
Новини от индустрията: Недостигът на многослойни керамични кондензатори води до скок на цените
Цената на многослойните керамични кондензатори (MLCC), често шеговито наричани „оризът“ на информационно-технологичното (ИТ) оборудване, се покачва рязко. Този скок на цените се дължи главно на продължителен недостиг на MLCC, причинен от инвестиционния бум в изкуствения интелект...Прочетете още -
Предлага се персонализирана термозалепваща лента 13,50 мм за носеща лента 16 мм
Стандартната носеща лента с ширина 16 мм обикновено се съчетава със стандартна покривна лента с ширина 13,3 мм. Въпреки това, в зависимост от необходимото пространство по време на запечатването на компонентите, някои клиенти избират алтернативни ширини на покривната лента, по-тесни или по-широки от 13,3 мм. Наскоро...Прочетете още -
Дизайн на носеща лента Sinho по поръчка за част CAMBION – решение от август 2026 г.
Дата: Август 2026 г. Тип решение: Персонализирана носеща лента Държава на клиента: САЩ Оригинален производител на компонента: Дизайн Време за завършване: 1 час Номер на частта: 450-3704 ГНЕЗДО ЗА ЗАПОЙВАНЕ, ЗА ДИАМЕТР .040 (1,02)...Прочетете още -
Дизайн на носеща лента по поръчка на Sinho за частите на TESLA – решение от юли 2026 г.
Дата: юли 2026 г. Тип решение: Персонализирана носеща лента Държава на клиента: Мексико Оригинален производител на компонента: Дизайн Време за завършване: 2 часа Номер на частта: Tesla CUP, INS, RET, WSHR, PCBA 2049904-00-B Част...Прочетете още -
Новини от индустрията: PVA TePla и Fraunhofer IISB създават съвместна лаборатория за алуминиево-нитридни субстрати
Базираният в Ерланген Fraunhofer IISB (Институт за интегрирани системи и технологии на устройства) и производителят на микровълнови и радиочестотни плазмени системи PVA TePla AG от Ветенберг обединяват своя опит в съвместна лаборатория за производство на алуминий...Прочетете още -
Новини от индустрията: Keysight и WIN си сътрудничат за намаляване на риска при проектирането на високочестотни RF компоненти
Keysight Technologies Inc от Санта Роса, Калифорния, САЩ и WIN Semiconductors Corp от град Таоюан, Тайван — които предоставят услуги за леене на пластини от галиев арсенид (GaAs) и галиев нитрид (GaN) за безжични, инфраструктурни и мрежови...Прочетете още -
Новини от индустрията: Технологията reGaN на IVWorks позволява първия 742GHz GaN HEMT
Снимка: Инженер от IVWorks калибрира плазмен източник за внедряване в хибридна MBE система в производствен мащаб, поддържаща високоеднороден и висококачествен GaN епитаксиален растеж. Галиев нитриден (GaN) преход с висока електронна мобилност...Прочетете още -
Новини от индустрията: SIA приветства стимулите по Закона CHIPS за съгласуваност
ВАШИНГТОН, 16 юни 2026 г. - Асоциацията на полупроводниковата индустрия (SIA) публикува днес следното изявление от президента и главен изпълнителен директор на SIA Джон Нойфер, в което приветства производствените стимули, обявени от Министерството на търговията и...Прочетете още
